一种能够防止器件等离子体损伤的多晶硅刻蚀工艺

摘要

本发明提供了一种能够防止器件等离子体损伤的多晶硅刻蚀工艺，该工艺包括贯穿步、主刻蚀步、停留步、过刻蚀步和硅片卸载步。本发明的方法在多晶硅刻蚀工艺中减少了硅片表面的电荷累积，减少了等离子体损伤。并且工艺简单，无需对设备的硬件系统进行优化设计，对各种结构、类型器件都有良好的适应性。

主权项

1. 一种能够防止器件等离子体损伤的多晶硅刻蚀工艺，包括以下步骤：贯穿步、主刻蚀步、过刻蚀步和硅片卸载步，其特征在于，在主刻蚀步后增加了停留步，所述停留步的工艺条件为：摆阀全开，上下电极功率为0w，气体流量为0sccm，时间为5-300s，所述硅片卸载步的工艺条件为：腔室压力10-80mT，上电极功率200-400W，并且采用斜坡方式关闭，斜坡时间1-5s，下电极功率0W，工艺气体为Ar或O2，流量为200-400sccm，工艺时间1-10s。