| 发明名称 | 电磁辐射解耦器 | ||
| 摘要 | 用于对处于波长范围λ<SUB>min</SUB>到λ<SUB>max</SUB>内的辐射解耦的电磁辐射解耦器。所述解耦器具有与电介质层接触的第一导体层，所述第一导体层包括至少一个缺失区域，所述解耦器的厚度小于λ<SUB>min</SUB>/4n，其中，所述n是所述电介质的折射率。可以将所述电介质层夹在两个导体层之间，所述两个导体层之一具有上述结构。本发明还设计这样的解耦器的使用方法和包括这样的解耦器的各种物品。 | ||
| 申请公布号 | CN101248445A | 申请公布日期 | 2008.08.20 |
| 申请号 | CN200680029833.4 | 申请日期 | 2006.06.22 |
| 申请人 | 欧姆尼－ID有限公司 | 发明人 | J·R·布朗;C·R·劳伦斯;P·R·克拉克;W·N·达姆雷尔 |
| 分类号 | G06K19/07(2006.01);G06K19/077(2006.01) | 主分类号 | G06K19/07(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王岳;刘春元 |
| 主权项 | 1.一种用于电子器件的辐射解耦器，所述解耦器包括夹在至少一个第一导体层和至少一个第二导体层之间的至少一个电介质层，其中，所述至少一个第一导体层具有至少一个缺失区域，在所述缺失区域处，所述第一导体层未覆盖所述电介质层，所述解耦器适于在使用中使电磁场在所述第一导体层的所述缺失区域附近被增强。 | ||
| 地址 | 英国伦敦 | ||