发明名称 一种低压化成箔的制造方法
摘要 本发明涉及一种低压化成箔的制造方法,包括如下步骤:A)将低压腐蚀箔片进行化成;B)对化成后箔片进行去极化处理;C)将去极化箔片进行第1再化成;D)将第1再化成的箔片进行第1热处理;E)将经第1热处理的箔片进行第2再化成,第2再化成的槽液包括己二酸铵溶液且加有磷酸和/或磷酸二氢铵;F)将第2再化成的箔片置于有机多元膦酸溶液中,施以正电进行加电后处理;G)将经后处理的箔片进行第2热处理,得到所述低压化成箔成品。本发明的制造方法可以同时获得更好的钝化处理效果、和更高的钝化处理效率,从而更节约资源、更利于环保,且更适用于车间实际生产条件。
申请公布号 CN101246780A 申请公布日期 2008.08.20
申请号 CN200810065702.2 申请日期 2008.02.22
申请人 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 发明人 李道重;严志强
分类号 H01G9/04(2006.01);H01G9/055(2006.01);C23F1/00(2006.01);C23F1/16(2006.01);H01G9/045(2006.01);H01G9/00(2006.01) 主分类号 H01G9/04(2006.01)
代理机构 深圳市永杰专利商标事务所 代理人 陈小耕
主权项 1、一种低压化成箔的制造方法,其包括如下步骤:A)将低压腐蚀箔片进行化成;B)对化成后箔片进行去极化处理;C)将去极化箔片进行第1再化成;D)将第1再化成的箔片进行第1热处理;E)将经第1热处理的箔片进行第2再化成,第2再化成的槽液包括己二酸铵溶液且加有磷酸和/或磷酸二氢铵;F)将第2再化成的箔片置于有机多元膦酸溶液中,施以正电进行加电后处理;G)将经后处理的箔片进行第2热处理,得到所述低压化成箔成品。
地址 512721广东省韶关市乳源县开发区