制作氮化镓半导体元件中劈裂镜面的方法

摘要

本发明公开了一种制作氮化镓半导体元件中劈裂镜面的方法，至少包含在透明基材形成一层以上的氮化物半导体薄膜，并以微影术在氮化物半导体薄膜上定义浅蚀刻区并蚀刻出一高度差，在浅蚀刻区定义牺牲区的图案并在未蚀刻区定义保留区的图案，再以异向性蚀刻将氮化物半导体薄膜除了图案以外的区域蚀刻至露出透明基材为止。以高功率激光脉冲由透明基材的底面往顶面照射，以激光剥离方式将薄膜由原透明基材转置到另一基材上，浅蚀刻形成的高度差在牺牲区形成悬臂，再劈裂与新基材分离的牺牲区悬浮部分，即形成平滑的劈裂镜面。

主权项

1. 一种制作氮化镓半导体元件中劈裂镜面的方法，其特征在于，至少包含下列步骤：(A)在一透明基板上形成一缓冲层；(B)在该缓冲层上形成一活性层；(C)在该活性层上以光刻胶定义一图案；(D)将该图案内露出的该活性层为止；(E)将该图案内露出的该活性层蚀刻形成浅蚀刻区；(F)清除光刻胶；(G)在该活性层上形成一光刻胶；(H)在该光刻胶上定义一图案，该图案至少包含一保留区，两个牺牲区与两个凹陷图案，且该牺牲区连接于该保留区的两侧，该凹陷图案则分别介于该保留区与该牺牲区之间；该牺牲区位与该凹陷图案位于步骤(E)的浅蚀刻区内；(I)将该图案内的光刻胶曝光显影至露出该活性层为止，再沉积一金属层至该活性层上；(J)以举离方式去除光刻胶并得到定义的金属图案；(K)依序将未被该金属层所覆盖的该活性层与该缓冲层的部分蚀刻至露出该透明基板为止；(L)以一溶液清除该金属层；(M)在该活性层上沉积一第一型接面金属层；(N)在一转置基板上沉积一金属层，成分为金；(O)将该透明基板与该转置基板接合；(P)以一激光脉冲由该透明基板的底面往顶面照射，分解该缓冲层底部的部分厚度，且至少一残留金属成分于该透明基板上；(Q)移除透明基板，以一溶液清除该残留金属成分，且该牺牲区在转置基板上形成悬空结构；(R)在该活性层上沉积一第二型接面金属层，成分为镍/金、钛/铝/铂/金、或铬/铂/金；以及(S)将与该转置基板分离该牺牲区的该缓冲层与该活性层由该凹陷图案处进行劈裂，则该保留区的两侧即形成两个劈裂镜面。