发明名称 |
磁随机存取存储器 |
摘要 |
提供一种磁随机存取存储器,具备:存储器单元阵列,具有利用磁致电阻效应来存储数据的多个存储器单元在第1方向上排列,且上述多个存储器单元的一端连接到公共电极上的存储器单元块;第1功能线,在上述存储器单元阵列内沿上述第1方向延伸,且连接到上述公共电极上;多个第2功能线,对应于上述多个存储器单元而设置,在上述存储器单元阵列内沿与上述第1方向交叉的第2方向延伸,且分别直接连接到上述多个存储器单元的另一端上;和第3功能线,离开上述多个存储器单元并与上述第1功能线绝缘,且在上述多个存储器单元用,被用于针对上述存储器单元的数据写入。 |
申请公布号 |
CN100412984C |
申请公布日期 |
2008.08.20 |
申请号 |
CN03145438.0 |
申请日期 |
2003.02.21 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
岩田佳久;东知辉 |
分类号 |
G11C11/15(2006.01);H01L43/12(2006.01) |
主分类号 |
G11C11/15(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
付建军 |
主权项 |
1. 一种磁随机存取存储器,具备:存储器单元阵列,具有利用磁致电阻效应来存储数据的多个存储器单元在第1方向上排列,且上述多个存储器单元的一端连接到公共电极上的存储器单元块;第1功能线,在上述存储器单元阵列内沿上述第1方向延伸,且连接到上述公共电极上;多个第2功能线,对应于上述多个存储器单元而设置,在上述存储器单元阵列内沿与上述第1方向交叉的第2方向延伸,且分别直接连接到上述多个存储器单元的另一端上;和第3功能线,离开上述多个存储器单元并与上述第1功能线绝缘,且在上述多个存储器单元中共用,被用于针对上述存储器单元的数据写入。 |
地址 |
日本东京都 |