| 发明名称 |
控制碳纳米管生长密度的方法 |
| 摘要 |
本发明涉及一种控制碳纳米管生长密度的方法，该方法包括以下步骤：提供一基底；在基底表面形成一保护层，该保护层为金属氮化物，其厚度为20～80纳米；在保护层表面形成一催化剂层；将形成有保护层及催化剂层的基底放入反应炉内，退火处理；通入碳源气体，生长碳纳米管。本发明通过在基底上形成一保护层，防止催化剂在退火还原过程中与基底反应，保证催化剂颗粒分布密度均匀，从而生长出分布密度均匀的碳纳米管。 |
| 申请公布号 |
CN100411980C |
申请公布日期 |
2008.08.20 |
| 申请号 |
CN03134986.2 |
申请日期 |
2003.09.30 |
| 申请人 |
鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
发明人 |
张庆州 |
| 分类号 |
C01B31/02(2006.01);C23C16/26(2006.01);C23C14/00(2006.01) |
主分类号 |
C01B31/02(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
1. 一种控制碳纳米管生长密度的方法，包括下列步骤：提供一基底；在所述基底的表面形成一保护层，该保护层为金属氮化物，其厚度为20～80纳米；在保护层表面形成一催化剂层；退火还原催化剂层；通入碳源气；在催化剂层表面生成碳纳米管。 |
| 地址 |
518109广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号 |
