| 发明名称 | 半导体隔离结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体隔离结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成牺牲氧化层；在牺牲氧化层上形成掩膜，图案化所述掩膜，从而在半导体衬底上定义出有源区和隔离区；通过牺牲氧化层向隔离区注入氧离子和氮离子；除去掩膜；对半导体衬底进行退火，形成隔离结构；去除牺牲氧化层。不仅工艺简单，而且避免现有技术中STI隔离结构的形成工艺中制作工艺复杂，并且衬氧化层与半导体衬底之间以及衬氧化层与氮氧化硅层之间都存在应力的缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN101246837A | 申请公布日期 | 2008.08.20 |
| 申请号 | CN200710037674.9 | 申请日期 | 2007.02.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 肖德元 |
| 分类号 | H01L21/76(2006.01);H01L27/04(2006.01) | 主分类号 | H01L21/76(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1. 一种半导体隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成牺牲氧化层；在牺牲氧化层上形成掩膜，图案化所述掩膜，在半导体衬底上定义出有源区和隔离区；通过牺牲氧化层向隔离区注入氧离子和氮离子；除去掩膜；对半导体衬底进行退火，形成隔离结构；去除牺牲氧化层。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||