| 发明名称 | 红外传感器单元及其制造工艺 | ||
| 摘要 | 一种红外传感器单元，具有共同形成于半导体衬底(10)上的热红外传感器及相关的半导体器件。电介质顶层(12)覆盖上述衬底以掩盖形成于该衬底的顶面中的半导体器件(20)。热红外传感器(30)承载于传感器座(40)上，该传感器座借助热绝缘支撑件(52)而被支撑于半导体器件的上方。传感器座和支撑件是由叠置于电介质顶层的顶部上的多孔材料制成的。 | ||
| 申请公布号 | CN101248337A | 申请公布日期 | 2008.08.20 |
| 申请号 | CN200680030068.8 | 申请日期 | 2006.08.16 |
| 申请人 | 松下电工株式会社 | 发明人 | 山中浩;栎原勉;渡部祥文;辻幸司;桐原昌男;吉原孝明;西岛洋一;兵头聪 |
| 分类号 | G01J5/20(2006.01);H01L27/146(2006.01) | 主分类号 | G01J5/20(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 高龙鑫;马少东 |
| 主权项 | 1.一种红外传感器单元，包括：半导体衬底，在其顶面中形成半导体器件，并被掩盖所述半导体器件的电介质顶层所覆盖；热红外传感器；传感器座，其承载所述热红外传感器；热绝缘支撑件，设置成将所述传感器座漂浮式地支撑于所述半导体器件上方；其中所述传感器座和所述热绝缘支撑件二者均由叠置于所述电介质顶层的顶部上的多孔材料制成。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||