一种非晶/纳米晶复合热电材料及其制备方法

摘要

本发明公开的非晶/纳米晶复合热电材料，是在表达式为Ge₂₀Sb_xTe_80-x的非晶基体中分布着大小在5-20nm的GeTe和Te的纳米晶颗粒，式中0≤x≤5。其制备步骤如下：按化学式计量比取锗、锑和碲原料，将原料真空熔炼成熔体，然后将熔体迅速投掷到低温介质中凝固形成非晶块基体；将非晶块基体置于真空退火炉中热处理，即可。本发明制备方法简单易行，工艺参数控制容易，制备的复合热电半导体材料中纳米晶原位析出，分布均匀，没有团聚，通过在非晶基体中原位生成纳米晶，可以显著的改善非晶基体的电导率，获得具有高电导率，高热电势和低热导率综合优良性能的热电材料，实现热电材料宏观性能的突破。

主权项

1. 一种非晶/纳米晶复合热电材料，其特征是在表达式为Ge20SbxTe80-x的非晶基体中分布着大小在5～20nm的GeTe和Te的纳米晶颗粒，式中0≤x≤5。