芯片封装结构与其晶圆级封装形成方法

摘要

本发明提供一种晶圆级封装的方法与芯片封装结构。首先于一透明基板上形成突出的导电连接结构，于一半导体晶圆上形成凹陷并填入黏着层于其中。然后接合基板与晶圆，其中每一导电连接结构被容置于每一凹陷中并被暴露于半导体晶圆的另一面，切割后成为芯片封装结构。该封装结构可利用导电连接结构将电信号从芯片主动面传送至芯片背面。

主权项

1. 一种晶圆级封装的方法，其特征在于，该方法包括：提供一基板，其上形成有若干个突出于该基板的导电连接结构；提供一晶圆，其具有一主动面与位于主动面相反侧的一背面，其中该主动面上形成有若干个凹陷；在每一该凹陷中填入一黏着层；接合该基板与该晶圆，其中每一导电连接结构被容置于每一该凹陷中并深入该黏着层中；从晶圆的背面移除部分晶圆以暴露出每一该导电连接结构；在晶圆的背面上形成一缓冲层，该缓冲层暴露出每一所述暴露的导电连接结构；在缓冲层上形成一导电线路层，该导电线路层接触每一所述暴露出缓冲层的导电连接结构；以及在导电线路层上形成一绝缘层，该绝缘层暴露出部分导电线路层。