| 发明名称 | 半导体基板制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体基板制造方法，本发明的第1技术方案的半导体基板制造方法，其特征在于，该半导体基板制造方法包含：准备基底基板的准备工序；在上述基底基板上叠层至少2层多重层的叠层工序，该多重层包含剥离层及半导体层；分离上述半导体层的分离工序。 | ||
| 申请公布号 | CN101248221A | 申请公布日期 | 2008.08.20 |
| 申请号 | CN200680030873.0 | 申请日期 | 2006.08.24 |
| 申请人 | 东北技术使者株式会社 | 发明人 | 八百隆文;曹明焕 |
| 分类号 | C30B29/38(2006.01);C23C16/01(2006.01);C23C16/34(2006.01);H01L21/205(2006.01);H01L21/338(2006.01);H01L29/778(2006.01);H01L29/812(2006.01);H01L33/00(2006.01);H01S5/323(2006.01) | 主分类号 | C30B29/38(2006.01) |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇;张会华 |
| 主权项 | 1.一种半导体基板制造方法，其特征在于，该半导体基板制造方法包含：准备工序，其准备基底基板；叠层工序，其在上述基底基板上叠层至少2个包含剥离层及半导体层的多重层；分离工序，其分离上述半导体层。 | ||
| 地址 | 日本宫城县 | ||