硼迹量掺杂的本征氢化硅薄膜

摘要

本发明公开了一个使包括氢化非晶硅和氢化纳米晶硅的氢化硅薄膜具有真正本征性的方法。在等离子体增强化学气相沉积过程中，将迹量的含硼气体加入到氢气和硅烷混合物中，使硼与不可避免的n型杂质的掺杂效应相抵消。如此得到的氢化硅i型薄膜，可以提高p－i－n型光伏器件的转换效率和稳定性。

主权项

1. 一个本征氢化硅薄膜，其特征在于：在其使用等离子体增强化学气相沉积的形成过程中，在包含有含硅气体的源气体混合物中含有迹量含硼气体，含硼气体对含硅气体的比例不超过2ppm，该比例的具体数值取决于源气体的纯度和真空系统的真空度。