| 发明名称 |
电源电压产生电路 |
| 摘要 |
一种电源电压产生电路，NMOS晶体管与PMOS晶体管的漏极形成电源电压输出端，源极与电源相连，栅极分别耦合至第二开关晶体管与第三开关晶体管的集电极。第一开关晶体管、第二开关晶体管与第三开关晶体管的集电极经由电阻与电源相连，发射极接地。第二开关晶体管的基极耦合至第一开关晶体管的集电极，第三开关晶体管的基极经一电阻耦合至第一开关晶体管的集电极。第一开关晶体管的基极经由电阻耦合至一信号源。通过利用本发明，可以避免计算机等电子产品在从“休眠”状态进入正常工作状态时发生死机现象，并降低制造成本。 |
| 申请公布号 |
CN100412754C |
申请公布日期 |
2008.08.20 |
| 申请号 |
CN200410077633.9 |
申请日期 |
2004.12.17 |
| 申请人 |
鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
发明人 |
江武;黄永兆;李云 |
| 分类号 |
G06F1/26(2006.01);H02M3/10(2006.01);H02J9/00(2006.01) |
主分类号 |
G06F1/26(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
1. 一种电源电压产生电路，包括一NMOS晶体管(Q3)、一PMOS晶体管(Q4)、一第一开关晶体管(Q5)及一第二开关晶体管(Q6)，NMOS晶体管(Q3)与PMOS晶体管(Q4)的漏极相互连接形成一电源电压输出端；所述第一开关晶体管(Q5)的集电极经一第一电阻(R2)接至一备用电源端，发射极接地；所述第二开关晶体管(Q6)的基极耦合至所述第一开关晶体管(Q5)的集电极，集电极经一第二电阻(R4)接至一第一系统电源端，发射极接地；所述NMOS晶体管(Q3)的栅极接至所述第二开关晶体管(Q6)的集电极，源极接至一第二系统电源端；所述PMOS晶体管(Q4)的源极接至所述备用电源端；其特征在于，该电路还包括：一第三开关晶体管(Q7)，其基极经由一第三电阻(R3)与所述第一开关晶体管(Q5)的集电极相连，其集电极经由一第四电阻(R5)与所述备用电源端相连，其发射极接地；所述第一开关晶体管(Q5)的基极经一第五电阻(R1)与一信号源相连；及所述PMOS晶体管(Q4)的栅极接至所述第三开关晶体管(Q7)的集电极。 |
| 地址 |
518109广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号 |
