发明名称 |
控制ZnO纳米柱阵列密度的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种控制ZnO纳米柱阵列密度的方法,特征是控制复合溶胶体系中锌离子与M<SUP>x+</SUP>离子的浓度比([Zn<SUP>2+</SUP>]/[M<SUP>x+</SUP>]),调节复合薄膜中ZnO与MO<SUB>x</SUB>的颗粒大小和分布状态,并且利用水溶液法制备ZnO纳米柱阵列时,生长初始阶段ZnO纳米柱晶核对籽晶层中ZnO晶粒的选择性生长来实现对其密度的调节。在所述的方法中,将少量的MO<SUB>x</SUB>溶胶与ZnO溶胶混合,搅拌均匀后形成稳定的复合溶胶。然后采用浸渍提拉法将其沉积到基片上,热处理后形成ZnO-MO<SUB>x</SUB>复合籽晶层。将ZnO-MO<SUB>x</SUB>的复合籽晶层浸入由Zn(NO<SUB>3</SUB>)<SUB>2</SUB>,NaOH和H<SUB>2</SUB>O组成的生长液中,50-90℃下生长0.5-5h后,在籽晶层上形成具有一定密度的ZnO阵列。控制MO<SUB>x</SUB>溶胶的加入量,调节ZnO阵列的密度。 |
申请公布号 |
CN101244895A |
申请公布日期 |
2008.08.20 |
申请号 |
CN200710037624.0 |
申请日期 |
2007.02.16 |
申请人 |
中国科学院上海硅酸盐研究所 |
发明人 |
李效民;邱继军;于伟东;高相东 |
分类号 |
C03C17/25(2006.01);B82B3/00(2006.01) |
主分类号 |
C03C17/25(2006.01) |
代理机构 |
上海智信专利代理有限公司 |
代理人 |
潘振甦 |
主权项 |
1. 控制ZnO纳米柱阵列密度的方法,其特征在于通过控制ZnO-MOx 复合溶胶体系中锌离子与Mx+离子的浓度比[Zn2+]/[Mx+],调节ZnO-MOx复合薄膜中ZnO与MOx的颗粒大小和分布状态,并且利用水溶液法制备ZnO纳米柱阵列时,生长初始阶段ZnO纳米柱晶核对籽晶层中ZnO晶粒的选择性生长来实现对其密度的调节,具体步骤是:①将少量的MOx溶胶与ZnO溶胶混合,搅拌均匀后形成稳定的复合溶胶;②然后采用浸渍提拉法将其沉积到基片上,热处理后形成ZnO-MOx复合籽晶层;③将ZnO-MOx的复合籽晶层浸入由Zn(NO3)2,NaOH和H2O组成的生长液中,50-90℃下生长后,在籽晶层上形成具有一定密度的ZnO阵列,通过控制MOx溶胶的加入量,调节ZnO阵列的密度;所述Mx+离子为二价、三价、或四价的阳离子。 |
地址 |
200050上海市长宁区定西路1295号 |