| 发明名称 | 研磨布和半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于化学机械研磨的研磨布，该研磨布具有由酸值为10～100mgKOH/g、羟值为50～150mgKOH/g的(甲基)丙烯酸共聚物构成的成形体。 | ||
| 申请公布号 | CN100413033C | 申请公布日期 | 2008.08.20 |
| 申请号 | CN200410095653.9 | 申请日期 | 2004.11.26 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 平林英明;樱井直明;斋藤晶子;佐藤浩史;山田富穗 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01);B24B37/00(2006.01);C08F220/06(2006.01);C08F220/26(2006.01);C08L33/00(2006.01);B24D3/20(2006.01) | 主分类号 | H01L21/304(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 胡烨 |
| 主权项 | 1. 研磨布，它是用于化学机械研磨的研磨布，其特征在于，具有(甲基)丙烯酸共聚物构成的成形体，所述(甲基)丙烯酸共聚物由下述通式(I)表示，其中显示酸值的基为基于(甲基)丙烯酸的构成单元，显示羟值的基为基于(甲基)丙烯酸羟基烷基酯的构成单元，<img file="C2004100956530002C1.GIF" wi="1426" he="431" />式中的R1、R2、R3分别独立地表示氢原子或甲基，R4表示碳原子数为2～4的直链状或支链状亚烷基，R5表示碳原子数为1～6的直链状或支链状烷基，l、m、n表示基于各单体的构成单元的重量％，且l、m、n为按照使共聚物的酸值为10～100mgKOH/g、羟值为50～150mgKOH/g的要求而分别选择的数值。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||