| 发明名称 | 化合物半导体发光器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种pn结化合物半导体发光器件，包括：包括由n型或p型磷化铝镓铟构成的发光层的层叠结构；以及用于支撑所述层叠结构的透光衬底，而且所述层叠结构和所述透光衬底接合在一起，其中所述层叠结构中包括n型或p型导电层，所述导电层和所述衬底接合在一起，以及所述导电层由含硼Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体构成。 | ||
| 申请公布号 | CN100413104C | 申请公布日期 | 2008.08.20 |
| 申请号 | CN200580009941.0 | 申请日期 | 2005.03.28 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 竹内良一;锅仓互;宇田川隆 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 杨晓光;李峥 |
| 主权项 | 1. 一种pn结化合物半导体发光器件，包括：包括由n型或p型磷化铝镓铟构成的发光层的层叠结构；以及用于支撑所述层叠结构的透光衬底，所述层叠结构和所述透光衬底接合在一起，其特征在于，所述层叠结构包括n型或p型导电层，所述导电层和所述衬底接合在一起，以及所述导电层由含硼III-V族化合物半导体构成。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||