| 发明名称 | 制备晶片的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种制备晶片的方法，该晶片含有单晶第一材料的基材和至少一层第二材料，所述第二材料外延生长于第一材料上，并且具有与第一材料不同的晶格。因此，本发明的目的是，提供一种上述类型的方法，用该方法可得到具有良好质量外延层的晶片，外延层生长在具有不同晶格的基材上。所述目的通过上述方法达到，所述方法的特征是第二材料的生长是在基材的最后表面抛光之前进行的。 | ||
| 申请公布号 | CN100413028C | 申请公布日期 | 2008.08.20 |
| 申请号 | CN200510075349.2 | 申请日期 | 2005.06.10 |
| 申请人 | 硅绝缘体技术有限公司 | 发明人 | 克里斯托夫·马勒维尔;埃马纽埃尔·阿雷纳 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01);H01L21/302(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁香兰 |
| 主权项 | 1. 一种制备晶片(52、62)的方法，所述晶片含有单晶第一材料的基材(1)和至少一层第二材料(2、3)，第二材料外延生长在第一材料上并且具有与第一材料不同的晶格，其特征在于，第二材料的生长是在蚀刻步骤(103)或抛光步骤(104)与最后抛光步骤(108)之间进行的，所述蚀刻步骤(103)或抛光步骤(104)是以简化方式在刚经过切片和打磨和/或研磨的基材(1)的未准备好的表面(4)上进行，从而使基材(1)的表面粗糙度为0.15-0.4纳米RMS，所述最后抛光步骤(108)形成在1×1微米的区域内表面粗糙度低于0.2纳米RMS的至少一层第二材料(2，3)的最后表面(8)。 | ||
| 地址 | 法国伯涅尼 | ||