互补型金属氧化物半导体影像感应器

摘要

本发明提供一种互补型金属氧化物半导体影像感应器。光遮蔽物包括形成在一影像感光元件与一相邻电路之间的结构。该结构以一种光阻碍材料，如金属、金属合金、金属化合物或其他类似材料所形成，形成在多个介电层内，并覆盖在该影像感应元件上。本发明所述的互补型金属氧化物半导体影像感应器，可避免或减少因光源产生的电流干扰。

主权项

1. 一种互补型金属氧化物半导体影像感应器，所述互补型金属氧化物半导体影像感应器包括：一影像感光元件，位于一基底内；一个或多个介电层，形成于该基底之上；以及一电性导通材料形成于该介电层之内，该电性导通材料布局于该影像感光元件与一相邻电路之间，且环绕该影像感光元件，该电性导通材料至少形成一插塞，穿透过该介电层。