首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 Method for forming film with low dielectric constant on semiconductor substrate
摘要
申请公布号 KR100852995(B1) 申请公布日期 2008.08.19
申请号 KR20010064225 申请日期 2001.10.18
申请人 发明人
分类号 C23C16/505;H01L21/205;H01L21/314;H01L21/768;H01L23/522 主分类号 C23C16/505
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com