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发明名称
高压电晶体
摘要
本发明的某些实施例提供包含半导体基片及界定半导体基片中的主动区的元件隔离膜之高压电晶体。闸极电极在半导体基片上沿着主动区的部分延伸同时维持预定宽度。第二井形成于半导体基片中的闸极电极的两边,且部分延伸至元件隔离膜的底面。半导体基片中的主动区包括:位于闸极电极下方且分隔元件隔离膜的第一主动区;以及由第一主动区及元件隔离膜所界定的第二主动区。本发明也提供制造高压电晶体的方法。
申请公布号
TW200834926
申请公布日期
2008.08.16
申请号
TW097100989
申请日期
2008.01.10
申请人
三星电子股份有限公司
发明人
权五谦;金容灿;吴锡;金明希;朴惠英
分类号
H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01)
主分类号
H01L29/78(2006.01)
代理机构
代理人
詹铭文;萧锡清
主权项
地址
韩国
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