发明名称 原子层沉积方法及其设备
摘要 一种原子层沉积方法,包含提供一原子层沉积设备,并利用此设备进行原子层沉积。原子层沉积设备用以快速调节制程温度,制程温度系依照反应气体之不同来决定。当制程温度需提高时,可藉由复数加热单元来提高欲沉积基材之温度,当制程温度需由高温降至较低温度时,藉由关闭加热单元并以冷却系统冷却加热单元之温度来降低欲沉积基材之温度,同时利用吹气装置吹出气体协助降低加热装置与欲沉积基材之温度,精密控制制程中之温度变化。
申请公布号 TW200833866 申请公布日期 2008.08.16
申请号 TW096105846 申请日期 2007.02.15
申请人 茂德科技股份有限公司 发明人 吴孝哲;李名言
分类号 C23C16/455(2006.01);C23C16/54(2006.01);H01L21/205(2006.01) 主分类号 C23C16/455(2006.01)
代理机构 代理人 王宗梅
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路19号3楼