半导体结构及制造方法

摘要

本发明在各种具体实施例中揭示半导体结构及制造此等结构之方法。在一项具体实施例中，揭示具有一绝缘物上矽(SOI)基板及一介电区之一半导体结构。该介电区系邻近于该SOI基板之作用层而且该介电区包含该SOI基板之一埋入式氧化物(BOX)层之一部分。该介电区的至少一部分从该SOI基板之该作用层之一表面延伸至该作用层之该表面下面至少约三微米或较大之一深度。将说明其他具体实施例并主张其权利。