化合物半导体发光元件及其制法

摘要

本发明之目的在于提供一种化合物半导体发光元件，其系于制造步骤之良率为良好的、具有优越之发光输出。本发明之化合物半导体发光元件，其特征在于：在基板上，由化合物半导体所构成的n型半导体层、发光层与p型半导体层系以n型半导体层与p型半导体层挟持发光层之方式来予以积层，于具备第1传导型透明电极与第2传导型电极之发光元件中，该第1传导型透明电极为由含有方铁锰矿（Bixbyite）构造之In#sB!2#eB!O#sB!3#eB!结晶的IZO膜所构成。