ＩＩＩ族氮化物结晶之制造方法、ＩＩＩ族氮化物结晶基板及ＩＩＩ族氮化物半导体装置

摘要

本发明提供一种至少表面位错密度整体较低之大型III族氮化物结晶之制造方法。本III族氮化物结晶之制造方法之特征在于包含：准备基底基板1之步骤，该基底基板1包含III族氮化物种晶，且III族氮化物种晶具有主区域1s及相对于主区域1s＜0001＞方向之极性相反之极性相反区域1t；及藉由液相法使III族氮化物结晶10于基底基板1之主区域1s及极性相反区域1t上成长之步骤；且主区域1s上所成长之III族氮化物结晶10之成长速度较的第1区域10s，系覆盖极性相反区域1t上所成长之III族氮化物结晶10之成长速度慢的第2区域10t。