发明名称 半导体结构及其形成方法
摘要 一种形成半导体结构之方法,包括提供半导体基底,该半导体基底包括一层介电材料。凹部(recess)系设置在该层介电材料中。该凹部系以包括银之材料所填充。
申请公布号 TW200834684 申请公布日期 2008.08.16
申请号 TW096144222 申请日期 2007.11.22
申请人 高级微装置公司 发明人 史瑞克 克里斯多夫;克希尔特 沃克
分类号 H01L21/283(2006.01);H01L21/768(2006.01) 主分类号 H01L21/283(2006.01)
代理机构 代理人 洪武雄;陈昭诚
主权项
地址 美国
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