| 摘要 |
可达成高的制造良品率之同时，可补偿CMOS．SRAM之MOS电晶体之临限值电压之变动。于SRAM之资讯保持动作、写入动作与读出动作之其中任一主动模态中，基板偏压Vbp、Vbn被施加于SRAM记忆格之MOS电晶体之基板（晶圆）。首先，SRAM之PMOS与NMOS之电晶体之临限值电压被测定。依据测定结果，控制记忆体Cnt_MM1、Cnt_MM2之控制资讯Cnt_Sg1、Cnt_Sg2被写入。藉由该写入，使基板偏压Vbp、Vbn之位准被调整，CMOS．SRAM之MOS电晶体之临限值电压之变动被控制于特定误差范围内。相对于MOS电晶体之源极被施加的动作电压，于MOS电晶体之基板被施加逆偏压或极浅顺偏压的基板偏压。 |
