发明名称 高崩溃电压二极体及其形成方法
摘要 本发明提供一种多层过电压保护装置。本方法始于提供具有第一导电性型态之第一杂质浓度的基板用以界定中间区域层。将具有第二导电性型态之掺杂物以少于该第一杂质浓度之第二杂质浓度导入该基板。在该中间区域层之上表面上形成具有第二导电性型态之上基极区域。在该中间区域层之下表面上形成具有第二导电性型态之下基极区域层。具有第一导电性型态之第一射极区域形成于该上基极区域层表面上。第一金属接点与该上基极区域层耦合且第二金属接点与该下基极区域层耦合。
申请公布号 TW200834743 申请公布日期 2008.08.16
申请号 TW096135161 申请日期 2007.09.20
申请人 微协通用半导体有限责任公司 发明人 高隆庆;龚璞如
分类号 H01L21/332(2006.01);H01L29/74(2006.01) 主分类号 H01L21/332(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 美国