改善表面之方法

摘要

本发明系关于一种改善一半导体基板表面之方法，该表面至少部分包括矽。本发明之目的系提供一种改善一半导体基板表面之方法，该表面至少部分包括矽，其中藉由此方法，出现于该半导体基板内或上之缺陷可以真正地经修补，以提供一具有高表面品质之半导体基板。此目的系可由上述类型之方法解决，其中该方法包括一沈积步骤，该沈积步骤包含该半导体基板表面上之至少一孔内的选择性磊晶沈积。