第ＩＩＩ族氮化物化合物半导体发光元件之制造方法及第ＩＩＩ族氮化物化合物半导体发光元件及灯

摘要

本发明系提供具有优良生产性，且备有优良发光特性之第III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法，及第Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件及灯。该第Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件之制造方法为，将至少由第Ⅲ族氮化物化合物形成之中间层12层合于基板11上，再依序将备有底层14a之n型半导体层14、发光层15及p型半导体层16层合于该中间层12上之方法，其具备对基板11进行等离子处理之前处理步骤，及该前处理步骤之后使用溅射法使基板11上中间层12成膜之溅射步骤。