| 摘要 |
一种用于一非挥发性储存系统之选择闸极结构，其包括一选择闸极及一耦合电极，该选择闸极及该耦合电极系可独立驱动。该耦合电极相邻于一NAND串中的一字线，并且具有一经施加之电压，其减小一相邻非所选非挥发性储存元件的闸极引发汲极降低(GIDL)程式化干扰。具体而言，当使用该相邻之字线进行程式化时，可施加一升高之电压至该耦合电极。当使用一非相邻之字线进行程式化时，施加一减小之电压。亦可依据其它程式化准则来设定该电压。该选择闸极系由一第一传导区予以提供，而该耦合电极系由一第二传导区予以提供，该第二传导区系形成于该第一传导区上且隔离于该第一传导区。 |
