藉由４层系层合物制造半导体装置之方法

摘要

本发明系提供使用于半导体装置之微影蚀刻步骤中光阻膜底层的层合物，及使用其制造半导体装置之方法。该制造半导体装置之方法为，包含于半导体基板上依序层合有机底层膜（Ａ层）、含矽之硬图罩（Ｂ层）、有机防反射膜（Ｃ层）及光阻膜（Ｄ层）各层之步骤。又为包含于光阻膜（Ｄ层）上形成光阻图型后，藉由光阻图型蚀刻有机防反射膜（Ｃ层），再藉由图型化之有机防反射膜（Ｃ层）蚀刻含矽之硬图罩（Ｂ层），接着藉由图型化之含矽的硬图罩（Ｂ层）蚀刻有机底层膜（Ａ层），再藉由图型化之有机底层膜（Ａ层）加工半导体基板的步骤。