发明名称 |
尤指远紫外线(EUV)微影之投影曝光装置的光学配置及减少污染之反射光学元件 |
摘要 |
本发明系关于一种光学配置,尤指远紫外线微影之投影曝光装置(1),其包含:一封闭一内部空间(15)之外壳(2);尤指反射光学元件的至少一光学元件(4至10、12、14.1至14.6),其配置于该外壳(2)中;至少一真空产生单元(3),其用于在该外壳(2)之该内部空间(15)中产生真空;及至少一真空外壳(18、18.1至18.10),其配置于该外壳(2)之该内部空间(15)中且至少封闭该光学元件(4至10、12、14.1至14.5)之光学表面(17、17.1、17.2),其中一污染减少单元与该真空外壳(18.1至18.10)相关联,该污染减少单元至少在该光学表面(17、17.1、17.2)附近相对于在该内部空间(15)中之尤指水及/或烃之污染物质的分压减小污染物质之分压。 |
申请公布号 |
TW200834246 |
申请公布日期 |
2008.08.16 |
申请号 |
TW096135017 |
申请日期 |
2007.09.19 |
申请人 |
卡尔塞斯(SMT)半导体制造科技公司;ASML荷兰公司 |
发明人 |
迪克 亨瑞克 安姆;史帝芬 穆兰德;托玛斯 斯丹;易尔 约翰拿 胡柏图 约瑟芬拿 穆尔斯;巴斯提安 希欧多 沃许礼恩;迪特 考斯;理查 费许陆;马库斯 葛哈度 亨追库斯 梅杰林 |
分类号 |
G03F7/20(2006.01) |
主分类号 |
G03F7/20(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
主权项 |
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地址 |
荷兰 |