| 摘要 |
本发明系关于一种具有高静电放电特性之发光二极体及其制造方法，且特别是关于包括一第一电极，形成并延伸于一第一半导体层之一上部表面与一第二半导体层之一上部表面之上；一透明电极层，形成于该第二半导体层之该上部表面之上，与该第一电极相分隔；以及一第二电极，形成于该透明电极层之该上部表面之上之一发光二极体。于本发明中提供了一种发光二极体元件，其采用了异于知电极之不同电极之结构，对于静电放电具有抵抗能力且对于电性冲击具有较高之可靠度。本发明系关于一种具有高静电放电特性之发光二极体及其制造方法，且特别是关于包括一第一电极，形成并延伸于一第一半导体层之一上部表面与一第二半导体层之一上部表面之上；一透明电极层，形成于该第二半导体层之该上部表面之上，与该第一电极相分隔；以及一第二电极，形成于该透明电极层之该上部表面之上之一发光二极体。于本发明中提供了一种发光二极体元件，其采用了异于知电极之不同电极之结构，对于静电放电具有抵抗能力且对于电性冲击具有较高之可靠度。 |
