膜形成装置及其使用方法

摘要

本发明提供一种用于一半导体制程之一膜形成装置的使用方法，其包括一第一清洁制程，该制程系在将一第一清洁气体供给至该膜形成装置之一反应室中、且将该反应室之内部设定于第一温度及第一压力下以活化该第一清洁气体的同时，以该第一清洁气体自该反应室之内表面移除一副产物膜。该方法进一步包括一第二清洁制程，该制程系在将一第二清洁气体供给至该反应室中，且将该反应室之该内部设定于第二温度及第二压力下以活化该第二清洁气体的同时，接着以该第二清洁气体自该反应室之该内表面移除一污染物。该第二清洁气体包括一含氯气体。