分步化学机械抛光方法

摘要

本发明涉及一种分步化学机械抛光方法，包含下列步骤：第一步，采用具有多晶矽去除速率大于或等于200　/min的化学机械抛光液，去除大部分的多晶矽但不暴露多晶矽与二氧化矽界面；第二步，在该抛光液中加入氧化剂后，对多晶矽表面以及随后暴露出来的多晶矽与二氧化矽表面进行抛光。该方法可避免表面碟形凹损缺陷，使晶片平坦度增高，并可同时增大晶片及抛光垫上的清洁度，使工艺更稳定。