薄膜体声波元件与射频通讯元件之结构及其制造方法

摘要

本发明系关于薄膜体声波元件与射频通讯元件之结构及其制造方法，该结构包括：至少一薄膜体声波元件；及一射频通讯元件和薄膜体声波元件电性连接于一晶片上，且薄膜体声波元件具有正温度系数压电层及负温度系数压电层。该制造方法的步骤包括：利用一互补式金氧半导体制程制作一射频通讯元件于一晶片上；及利用一微机电制程在晶片上制作至少一薄膜体声波元件，其和射频通讯元件电性连接，形成本发明之结构。本发明可使声波被动元件与射频主动电路整合于单一晶片，对加速系统设计、减少整合测试程序均有重大帮助。