发明名称 | 半导体元件及其制造方法以及提高膜层应力的方法 | ||
摘要 | 一种半导体元件的制造方法,此方法包括提供基底,基底上已形成有第一导电型电晶体与第二导电型电晶体。接着于基底上形成一应力层,共形地覆盖住第一与第二导电型电晶体。再于第一导电型电晶体上方之应力层上形成一顶盖层。尔后进行一改质处理后,再移除顶盖层。 | ||
申请公布号 | TW200834918 | 申请公布日期 | 2008.08.16 |
申请号 | TW096105244 | 申请日期 | 2007.02.13 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 许绍达;蔡腾群;陈能国;廖秀莲;吴承翰;洪文瀚 |
分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |