发明名称 半导体元件及其制造方法以及提高膜层应力的方法
摘要 一种半导体元件的制造方法,此方法包括提供基底,基底上已形成有第一导电型电晶体与第二导电型电晶体。接着于基底上形成一应力层,共形地覆盖住第一与第二导电型电晶体。再于第一导电型电晶体上方之应力层上形成一顶盖层。尔后进行一改质处理后,再移除顶盖层。
申请公布号 TW200834918 申请公布日期 2008.08.16
申请号 TW096105244 申请日期 2007.02.13
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 许绍达;蔡腾群;陈能国;廖秀莲;吴承翰;洪文瀚
分类号 H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01) 主分类号 H01L29/78(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号