矽氧化膜之形成方法、电浆处理装置、及记忆媒体

摘要

可以维持「低压力、低氧浓度条件」之电浆氧化处理之优点之同时，可减少膜厚之受图案疏密之影响，可以均匀膜厚形成矽氧化膜。在电浆处理装置之处理室内，使处理气体之电浆作用于具有凹凸图案之被处理体表面之矽而产生氧化形成矽氧化膜。上述处理气体中之氧之比例为0.1％以上10％以下、而且压力为0.133Pa以上133.3Pa以下之条件形成上述电浆。于上述处理室内之电浆产生区域与被处理体之间存在具有多数贯穿开口的板而进行处理。