氧化矽膜之形成方法、电浆处理装置、以及记忆媒体

摘要

无损于电浆氧化处理的优点，而形成绝缘电阻优异且得以提高半导体装置之良率的优质膜品质之氧化矽膜。以处理气体中的氧之比例为1％以下，且压力为133 Pa以下的第一处理条件来形成电浆，藉由该电浆使被处理体表面的矽氧化，而形成氧化矽膜(第一氧化处理制程)。接着前述第一氧化处理制程之后，以处理气体中的氧之比例为20％以上，且压力为400~1333 Pa的第二处理条件来形成电浆，藉由该电浆使前述被处理体表面氧化，而形成更进一步之氧化矽膜(第二氧化处理制程)。