非挥发性记忆体装置及其制造方法

摘要

一种非挥发性记忆体装置包含：一隧穿绝缘层，其处于一基板之一通道区上；一电荷捕获层图案，其处于该隧穿绝缘层上；一第一阻挡层图案，其处于该电荷捕获层图案上；多个第二阻挡层图案，其紧邻该电荷捕获层图案之侧壁处于该隧穿绝缘层上且经组态以限制在该电荷捕获层图案中所捕获之电子之横向扩散；及一闸电极，其处于该第一阻挡层图案上。该等第二阻挡层图案可阻止该电荷捕获层图案中所捕获之电子之横向扩散。