一种减低漏电流及改善表面性质的半导体元件制程方法

摘要

一种减低漏电流及改善表面性质的半导体元件制程方法，在其氮化镓系光电二极体制程中，以感应式耦合电浆离子反应蚀刻(ICP-RIE)/反应性离子蚀刻(RIE)乾式蚀刻进行光电二极体的蚀刻后，再以加热的KOH/NaOH浸泡进行表面处理，改善表面的性质，包含降低表面及蚀刻侧边粗糙度，消去在乾式蚀刻下容易产生的须晶或表面缺陷及劣化，并且减低光电二极体中，P型区域与N型区域欧姆电性接触电极之间的漏电流，并且维持一稳定光电流值在高偏压区。