PROCEDE DE PREPARATION D'UNE COUCHE DE GERMANIUM A PARTIR D'UN SUBSTRAT SILICIUM-GERMANIUM-SUR-ISOLANT

摘要

L'invention a trait à un procédé d'élaboration d'une couche de germanium sur isolant à partir d'un substrat SGOI comprenant:- une étape de dépôt sur ledit substrat d'une couche d'un élément métallique M apte à former sélectivement un siliciure, ladite couche étant en contact avec une couche d'alliage silicium-germanium ;- une étape de réaction entre ladite couche d'alliage et ladite couche d'un élément métallique M, moyennant quoi l'on obtient une superposition de couches siliciure de M-Germanium-Isolant.Application à la réalisation de dispositifs électroniques, tels que les transistors MOSFET.