| 摘要 |
Ein Halbleiterbauelement gemäß Ausführungen kann eine Verdrahtungslage, eine Vielzahl von auf der Verdrahtungslage geschichteten und ausgebildeten Bauelementen, durchgehende Elektroden, von denen jede in der Vielzahl von Bauelementen ausgebildet ist und die entsprechenden Bauelemente durchdringt, und Verbindungs-Elektroden enthalten, die zwischen den jeweiligen Bauelementen ausgebildet sind und eine durchgehende Elektrode, die in einem oberen Bauelement ausgebildet ist, mit einer durchgehenden Elektrode verbinden, die in einem unteren Bauelement ausgebildet ist. |
