Mehrbit-Phasenänderungs-Zufallszugriffsspeicher und Verfahren zum Bilden derselben

摘要

Ein Phasenänderungs-Zufallszugriffsspeicher (PRAM) umfasst eine erste Elektrode (71) und eine zweite Elektrode (85) an einem Substrat (51). Ein Phasenänderungsmuster (80) ist zwischen die erste und die zweite Elektrode (71, 85) gebracht. Eine isolierende Zwischenschicht (73) mit einem Kontaktloch (73H) ist an dem Substrat (51) vorgesehen. Das Phasenänderungsmuster (80) kann in dem Kontaktloch (73H) angeordnet sein. Das Phasenänderungsmuster (80) umfasst eine Mehrzahl von Dotierungsmustern (76, 77) mit unterschiedlichen Dotierungskonzentrationen. Verfahren zum Bilden eines Mehrbit-PRAM sind ebenfalls offenbart.