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发明名称 III-NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 <p>A pi-nitride semiconductor device which includes a barrier body between the gate electrode and the gate dielectric thereof.</p>
申请公布号 WO2008097551(A2) 申请公布日期 2008.08.14
申请号 WO2008US01522 申请日期 2008.02.05
申请人 INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION;HE, ZHI;BEACH, ROBERT;CAO, JIANJUN 发明人 HE, ZHI;BEACH, ROBERT;CAO, JIANJUN
分类号 H01L21/336;H01L29/205 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
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