| 摘要 |
Verfahren und Systeme zum Bearbeiten von Halbleitermaterialien mit einem fokussierten Laserstrahl. Laserlicht kann auf eine Probe fokussiert werden, um Materialeigenschaften an der Probenoberfläche zu verändern. Der fokussierte Laserstrahl wird über die Probenoberfläche gescannt, um kontrollierte Prozesseffekte bereitzustellen, limitiert auf den Bereich des Strahldurchmessers und entlang dem Scanning-Pfad. Beispielsweise können Prozesseffekte wie Curing, Annealing, Implantationsaktivierung, selektives Schmelzen, Deposition und chemische Reaktion in Dimensionen erzielt werden, die begrenzt sind durch den fokussierten Strahldurchmesser. Ferner kann Laserlicht auf eine Probe fokussiert werden, um optische Emission an der Probenoberfläche während der Bearbeitung, welche Laserbearbeitung umfassen kann, anzuregen. Erzeugte optische Emissionsspektren können während des Prozesses effektiv auf verschiedene Eigenschaften analysiert werden. Beispielsweise können Prozesseffekte wie Analyse der chemischen Zusammensetzung, Spezieskonzentration, Tiefenprofilierung, Homogenitätscharakterisierung und Mapping, Reinheit und Reaktivität durch optische Spektralanalyse überwacht werden.
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