Verfahren und Vorrichtung zur Detektierung von Defekten

摘要

Bei einem Verfahren und Vorrichtung zum Detektieren von Defekten, insbesondere von Mikrorissen, in dünnen Wafer-Platten, insbesondere in Halbleiter- oder Siliziumwafern, wird der Wafer bzw. mit Silizium beschichtete Glasträger mittels Licht durchleuchtet, das aus wenigstens zwei räumlich unterschiedlichen Richtungen auf den Wafer trifft, und das transmittierte Licht wird mit wenigstens einer Kamera aufgenommen. Das erzeugte Bild des Wafers wird in einer Bildverarbeitung ausgewertet. Das für die Beleuchtung verwendete Licht weist dabei Anteile im Infrarotbereich auf. Das Verfahren kann sowohl mit einer Hellfeldbeleuchtung als auch mit einer Dunkelfeldbeleuchtung angewendet werden.