| 发明名称 | 基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开的基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜，在基板上自下而上依次沉积有硅化钛导电薄膜层，硅化钛导电纳米线层和电介质薄膜层。该薄膜可以采用磁控溅射沉积法或溶胶－凝胶法制备。本发明的基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜将硅化钛导电纳米线植入介质薄膜内部，充分利用纳米线电极的巨大边缘电场，可在极低的调制电压下获得很高的可调性，比没有纳米线电极的介电可调薄膜的调制电压有了大大下降，仅为一般情况下的1/6～1/10以下。本发明的基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜致密性好，缺陷少，损耗小。植入硅化钛导电纳米电极后的介电薄膜是一种高可调低损耗的高性能介电可调薄膜，具有良好的应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN101239515A | 申请公布日期 | 2008.08.13 |
| 申请号 | CN200810059996.8 | 申请日期 | 2008.03.07 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 杜丕一;胡安红;翁文剑;韩高荣;赵高凌;沈鸽;宋晨路;徐刚;张溪文 |
| 分类号 | B32B9/00(2006.01);B32B33/00(2006.01);B32B17/06(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L29/00(2006.01);C23C28/04(2006.01);C23C16/42(2006.01);C23C14/35(2006.01);C23C14/08(2006.01);C23C14/58(2006.01);B05D1/18(2006.01) | 主分类号 | B32B9/00(2006.01) |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人 | 韩介梅 |
| 主权项 | 1、基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜，其特征在于：在基板(1)上自下而上依次沉积有硅化钛导电薄膜层(2)，硅化钛导电纳米线层(3)和电介质薄膜层(4)。 | ||
| 地址 | 310027浙江省杭州市浙大路38号 | ||