| 发明名称 | 电热双参数检测芯片的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明电热双参数检测芯片的制备方法，属于传感技术领域，特别涉及空气、水及生物体中某种化学物质的检测。该方法制备的芯片可同时检测电、热两个参数，提高了检测准确性；本发明的方法采用微电子机械系统(MEMS)技术制备，降低了检测系统成本、体积以及功耗；并使膜片的热容量很小，热参数的测量精度大大提高，同时可实现低成本、大批量制备。 | ||
| 申请公布号 | CN100410657C | 申请公布日期 | 2008.08.13 |
| 申请号 | CN200410074675.7 | 申请日期 | 2004.09.13 |
| 申请人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明人 | 高晓光;李建平;何秀丽 |
| 分类号 | G01N27/416(2006.01);G01N27/40(2006.01);G01N27/403(2006.01);G01N25/00(2006.01) | 主分类号 | G01N27/416(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1. 一种电热双参数检测芯片的制备方法，是采用微电子机械系统工艺制成的；其特征在于，包括：(1)准备衬底：100晶向的双面抛光硅片；(2)制备支撑膜：在炉温1150℃，采用O2/H2O/O2交替氧化条件下热氧化300nm的氧化硅，低压化学气相沉积(LPCVD)200nm的低应力氮化硅；(3)制备温度传感器：光刻铂电阻，剥离制备铂电阻，作为温度传感器；(4)制备测量电参数的测量电极：光刻叉指电极，溅射铂/钽(Pt/Ta)200nm，剥离制备叉指电极，作为测量电参数的测量电极；(5)形成膜片结构：光刻背面腐蚀窗口，用六氟化硫(SF6)反应离子刻蚀(RIE)氮化硅膜，用氢氟酸缓冲液(BHF)腐蚀氧化硅，然后用氢氧化钾(KOH)溶液各向异性腐蚀硅形成膜片结构；(6)制备敏感膜：将有机聚合物溶于溶剂中并掺入适量碳纳米颗粒，采用生物点样的办法将其沉积到芯片上；(7)裂片、封装。 | ||
| 地址 | 100080北京市海淀区北四环西路19号 | ||