| 发明名称 | 防止击穿的功率半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于防止信道区域的击穿的功率半导体，为了这个目的，本发明提出了一种防止击穿的功率半导体装置，其拥有一传导型态1的高浓度漏极区域；一传导型态1的主要外延区域，在该基板区域的顶部上加以形成为低浓度；一传导型态1的次要外延区域，在该主要外延区域的顶部上加以形成为中浓度、并具有实际上跨越厚度的均匀掺杂变化曲线；多个传导型态2的体区域，其形成在该次要外延区域的范围之中；以及两个传导型态1的源极区域，其成形在每一体区域的两个边缘内侧而形成为高浓度源极区域。 | ||
| 申请公布号 | CN100411192C | 申请公布日期 | 2008.08.13 |
| 申请号 | CN200510096575.9 | 申请日期 | 2005.08.25 |
| 申请人 | 敦南科技股份有限公司 | 发明人 | 金钟旼 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军;郑特强 |
| 主权项 | 1. 一种防止击穿的功率半导体装置，包括：一反击穿功率半导体器件，包括：一传导型态1的高浓度漏极区域；一传导型态1的主要外延区域，其在该漏极区域的顶部上形成为低浓度；一传导型态1的次要外延区域，其在该主要外延区域的顶部上形成为中浓度、并具有实际上跨越整个次要外延区域的厚度的平坦的浓度变化曲线；多个传导型态2的体区域，其形成在该次要外延区域的范围之中；以及两个传导型态1的源极区域，其成形在每一体区域的两个边缘内侧而形成为高浓度源极区域。 | ||
| 地址 | 台湾台北县 | ||